未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40V -50A Specifikace zařízení DHP50P04(DFN56)(1).pdf
270A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS044N12U TOLL BALÍČEK DHS044N12U MÝTNÉ 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
59A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specifikace zařízení 60N10B76(1).pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
Balíček DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 BALENÍ DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
200A 40V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET D1404/FD1404/ED1404
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100V 99A Specifikace zařízení DHS052N10P.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150V 150A Donghai+DSE058N15NA+DataSheet+V2.0.pdf
60A 60V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60V 60A Specifikace zařízení DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Specifikace zařízení DH105N07.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100V 100A DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
18A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200V 18A Specifikace zařízení 640.pdf
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
Výkonový MOSFET 180A 68V N-channel Enhancement Mode DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com