未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Specyfikacja urządzenia DHP50P04 (DFN56)(1).pdf
270A 120V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS044N12U PAKIET OPŁAT DHS044N12U MYTO 120 V 270A DHS044N12U_Arkusz danych_V2.0.pdf
59A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Specyfikacja urządzenia 60N10B76(1).pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A DSP060N04LA_Arkusz danych_V1.0.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A DSD065N04LA_Arkusz danych_V1.0.pdf
PAKIET 40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
Pakiet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Arkusz danych_V1.0.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Specyfikacja urządzenia DHS052N10P.pdf
200A 40V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D1404/FD1404/ED1404
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+arkusz danych+V2.0.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A DSD065N10L3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200 V 18A Specyfikacja urządzenia 640.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68 V 60A Specyfikacja urządzenia DH105N07.pdf
60A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD015N06 TO-252B DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
180A 68V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
D7N60 TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com