7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktion

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤1,4Ω)

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 24 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 5,5 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
650V	1,2 Ω	7A