7A 650V N-kanaal Verbeteringsmodus Vermogens-MOSFET DHD7N65 TO-252B

7A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Eigenschap

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden

● Lage weerstand (Rdson≤1.4Ω)

● Lage poortlading (Typ: 24nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteit (typ: 5,5 pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
650V	1,2 Ohm	7A