40A 100V P-kanál v režime vylepšenia výkonového MOSFETu
1 Popis
Tieto P-kanálové vylepšené VDMOSFETy, použitá pokročilá výkopová technológia a dizajn, poskytujú vynikajúcemu Rdsonovi nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepí6anie
● Nízky odpor ZAPNUTIA
● Nízke nabitie brány
● Nízke kapacity spätného prenosu
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● Vhodné pre motorové ovládače.
● Prepínanie regulátorov
● Prevodníky a ovládače relé
● Výstražné zariadenie
| VDSS |
RDS(zapnuté)(TYP) |
ID |
| -100 V |
31 mΩ |
-40A |