MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 40 A 100 V
1 Descriptif
Ces VDMOSFET améliorés à canal P, utilisant une technologie et une conception de tranchée avancées, offrent un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible résistance ON
● Faible charge de porte
● Faibles capacités de transfert inverse
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test ΔVDS 100 %
3 candidatures
● Convient aux pilotes de moteur.
● Régulateurs de commutation
● Convertisseurs et pilotes de relais
● Alerteur
| VDSS |
RDS (activé) (TYP) |
IDENTIFIANT |
| -100V |
31 mΩ |
-40A |