40A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
VDMOSFET ที่ปรับปรุงด้วย P-channel เหล่านี้ใช้เทคโนโลยีและการออกแบบร่องลึกขั้นสูง มอบ Rdson ที่ยอดเยี่ยมด้วยประจุเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS
2 คุณสมบัติ
● การสลับอย่างรวดเร็ว
● ความต้านทาน ON ต่ำ
● ค่าเกตต่ำ
● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ
● การทดสอบพลังงานถล่มแบบพัลส์เดี่ยว 100%
● การทดสอบ ΔVDS 100%
3 การใช้งาน
● เหมาะสำหรับไดรเวอร์มอเตอร์
● สวิตช์ควบคุม
● คอนเวอร์เตอร์และไดรเวอร์รีเลย์
● ผู้แจ้งเตือน
| วีดีเอสเอส |
RDS (บน) (ประเภท) |
บัตรประจำตัวประชาชน |
| -100V |
31mΩ |
-40A |