40A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Descriere
Aceste VDMOSFET-uri îmbunătățite cu canal P, au folosit tehnologie și design avansat de șanț, oferă un Rdson excelent cu încărcare scăzută. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
2 Caracteristici
● Comutare rapidă
● Rezistență scăzută la ON
● Încărcare scăzută
● Capacitate scăzute de transfer invers
● Test de energie avalanșă cu un singur impuls 100%.
● Test ΔVDS 100%.
3 Aplicații
● Potrivit pentru conducătorii auto.
● Regulatoare de comutare
● Convertoare și drivere de relee
● Alertor
| VDSS |
RDS(activat)(TYP) |
ID |
| -100V |
31mΩ |
-40A |