MOSFET de potencia del modo de mejora del canal P de 40A 100V DH100P40 TO-220C

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de 40 A y 100 V

1 Descripción 

Estos VDMOSFET mejorados de canal P, que utilizan tecnología y diseño de zanja avanzados, proporcionan un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido

● Baja resistencia de encendido 

● Cargo de puerta bajo 

● Bajas capacidades de transferencia inversa 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Adecuado para conductores de motores. 

● Reguladores de conmutación 

● Convertidores y controladores de relés

● Alertador

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-100V	31mΩ	-40A