40A 100V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH100P40 TO-220C

40A 100V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu P-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılarak, düşük geçit şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Hızlı Geçiş

● Düşük AÇIK Direnç 

● Düşük Geçit Yükü 

● Düşük Ters Transfer Kapasitansları 

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi

● %100 ΔVDS Testi 

3 Uygulama 

● Motor Sürücülerine Uygundur. 

● Regülatörlerin Değiştirilmesi 

● Dönüştürücüler ve Aktarma Sürücüleri

● Uyarıcı

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
-100V	31mΩ	-40A