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40 A 100 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P40 TO-220C

40 A 100 V P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus
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40 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 


Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und bieten einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● Niedriger EIN-Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Geeignet für Motortreiber. 

● Schaltregler 

● Konverter und Relaistreiber

● Warner

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
-100V 31mΩ -40A


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