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40A 100V P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DH100P40 bis 220C

40A 100V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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40A 100V P-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 


Diese P-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs, die fortschrittliche Grabentechnologie und -gestaltung verwendeten, sorgen für hervorragende RDSON mit niedriger Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Geeignet für Motorfahrer. 

● Regulierungsbehörden wechseln 

● Konverter und Relaistreiber

● Alarm

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
-100V 31mΩ -40a


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