ရရှိနိုင်: | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Mur80FU40NCA
wxdh
80A 400V မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
80A, 400V ultrafast diodes တွင် 4 င်းတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, impalogaxial ဆောက်လုပ်ရေး, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့်အရောအနှောများကိုပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်ပြောင်းသည့် applications အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
inverter ပါဝါထောက်ပံ့ရေး
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
400v | 1.6V | 40th |
80A 400V မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
80A, 400V ultrafast diodes တွင် 4 င်းတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, impalogaxial ဆောက်လုပ်ရေး, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့်အရောအနှောများကိုပါဝါထောက်ပံ့ရေးပစ္စည်းများနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်ပြောင်းသည့် applications အမျိုးမျိုးတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့နှင့်အတူ Ultrafast Recovery တို့ကပါဝါ switching circuit များတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျော့နည်းစေသည်
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
inverter ပါဝါထောက်ပံ့ရေး
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
400v | 1.6V | 40th |