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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MUR80FU40NCA TO-3PN

Diodi ultraveloci da 80 A, 400 V Hanno una bassa caduta di tensione diretta e sono di
costruzione epitassiale planare, passivata al nitruro di silicio, impiantata con ioni.
Disponibilità:
Quantità:
  • MUR80FU40NCA

  • WXDH

Diodo a recupero rapido 80A 400V


1 Descrizione

Diodi ultraveloci da 80 A, 400 V Hanno una bassa caduta di tensione diretta e sono di costruzione epitassiale planare, passivata al nitruro di silicio, impiantata con ioni. Questi dispositivi sono destinati all'uso come diodi e raddrizzatori di controllo/bloccaggio dell'energia in una varietà di alimentatori a commutazione e altre applicazioni di commutazione di potenza. La bassa carica immagazzinata e il recupero ultrarapido con caratteristiche di recupero graduale riducono al minimo il ronzio e il rumore elettrico in molti circuiti di commutazione di potenza, riducendo così la perdita di potenza nel transistor di commutazione 


2 Caratteristiche 

  •  Bassa perdita di potenza, 

  •  alta efficienza Bassa tensione diretta, 

  •  capacità di corrente elevata Elevata capacità di sovratensione 

  •  Tempi di recupero super rapidi 

  •  alta tensione 


3 applicazioni 

  •  Alimentazione elettrica commutabile 

  •  Circuiti di commutazione di potenza 

  •  Alimentazione tramite inverter

VBR VF(singolo)(MAX) SE(AV)(singolo)
400 V 1,6 V 40A



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