80A 400V Diode mit schneller Wiederherstellung
1 Beschreibung
Ultraschnelle Dioden mit 80 A und 400 V. Sie weisen einen geringen Durchlassspannungsabfall auf und bestehen aus einer planaren, mit Siliziumnitrid passivierten, ionenimplantierten Epitaxiekonstruktion. Diese Geräte sind für den Einsatz als Energiesteuerungs-/Klemmdioden und Gleichrichter in einer Vielzahl von Schaltnetzteilen und anderen Leistungsschaltanwendungen vorgesehen. Ihre geringe gespeicherte Ladung und die ultraschnelle Wiederherstellung mit Soft-Recovery-Eigenschaften minimieren Überschwingungen und elektrisches Rauschen in vielen Leistungsschaltkreisen und reduzieren so den Leistungsverlust im Schalttransistor
2 Funktionen
Geringe Verlustleistung,
hoher Wirkungsgrad, niedrige Durchlassspannung,
hohe Strombelastbarkeit. Hohe Stoßleistung
Superschnelle Erholungszeiten
Hochspannung
3 Anwendungen
| VBR |
VF(einzeln)(MAX) |
IF(AV)(einzeln) |
| 400V |
1,6V |
40A |