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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MUR80FU40NCA TO-3PN

Diodes ultrarapides 80 A, 400 V. Elles ont une faible chute de tension directe et sont de épitaxiale planaire, passivée au nitrure de silicium, implantée par ions .
construction
Disponibilité :
Quantité :
  • MUR80FU40NCA

  • WXDH

Diode de récupération rapide 80A 400V


1 Descriptif

Diodes ultrarapides 80 A, 400 V. Elles ont une faible chute de tension directe et sont de construction épitaxiale planaire, passivée au nitrure de silicium, implantée par ions. Ces dispositifs sont destinés à être utilisés comme diodes et redresseurs de pilotage/serrage d'énergie dans diverses alimentations à découpage et autres applications de commutation de puissance. Leur faible charge stockée et leur récupération ultrarapide avec des caractéristiques de récupération douce minimisent la sonnerie et le bruit électrique dans de nombreux circuits de commutation de puissance, réduisant ainsi la perte de puissance dans le transistor de commutation. 


2 Caractéristiques 

  •  Faible perte de puissance, 

  •  haute efficacité Faible tension directe, 

  •  capacité de courant élevée Capacité de surtension élevée 

  •  Temps de récupération ultra rapides 

  •  haute tension 


3 candidatures 

  •  Alimentation à découpage 

  •  Circuits de commutation de puissance 

  •  Alimentation par onduleur

VBR VF(simple)(MAX) SI(AV)(simple)
400V 1,6 V 40A



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