4A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D4N65 TO-252B

4A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 deskripsi

N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. TO-220F menyediakan tegangan isolasi yang diberi peringkat RMS 2000V dari ketiga terminal ke heatsink eksternal. TO-220F Series mematuhi standar UL (File Ref: E252906). 

2 fitur

● Pergantian cepat 

● Kemampuan ESD Peningkatan 

● Rendah pada resistansi (rdson≤2.8Ω)

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 14.5NC) 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 3.5PF) 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 

3 aplikasi 

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi. 

● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron.