4A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET D4N65 TO-252B

4A 650V N-kanaalverbeteringsmodus MOSFET

1 Beskrywing

Hierdie N-kanaalverbeterde VDMOSFET's word verkry deur die selfbelynde vlak-tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, die skakelprestasie verbeter en die lawine-energie verbeter. Wat ooreenstem met die ROHS -standaard. TO-220F bied isolasingspanning wat op 2000V RMS van al drie klemme tot eksterne koelkas beoordeel word. TO-220F-reeks voldoen aan UL-standaarde (File Ref: E252906). 

2 funksies

● Vinnige oorskakeling 

● ESD verbeterde vermoë 

● Lae weerstand (Rdson≤2.8Ω)

● Lae heklading (tik: 14.5nc) 

● Lae omgekeerde oordragkapasiteit (tik: 3.5pf) 

● 100% enkelpuls Avalanche energietoets 

● 100% Δvds -toets 

3 Aansoeke 

● Word gebruik in verskillende kragskakelingskringbaan vir stelsel -miniatuur en hoër doeltreffendheid. 

● Kragskakelaarstroombaan van elektronballas en adapter.