4A 650V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET D4N65 TO-252B

4A 650V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET

1 opis

Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS. TO-220F zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila ocenjena na 2000 V RMS od vseh treh terminalov do zunanjega ogrevanja. Serija TO-220F je v skladu s standardi UL (datoteka Ref: E252906). 

2 značilnosti

● Hitro preklapljanje 

● ESD izboljšana sposobnost 

● Nizko odpornost (rdson≤2.8Ω)

● Nizka naboj vrat (Typ: 14.5NC) 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 3.5pf) 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test 

3 aplikacije 

● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost. 

● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.