40A 1200V Polmostni modul IGBTModul DGA40H120M2T 34mm

40A 1200V Polmostni modul

1 Opis 

Ti bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati so uporabljali napredno zasnovo tehnologije Trench in Fieldstop, zagotavljajo odličen VCEsat in hitrost preklapljanja ter nizko napolnjenost vrat. Kar je v skladu s standardom RoHS. 

2 Lastnosti 

● FS Trench Technology, pozitivni temperaturni koeficient 

● Nizka nasičena napetost: VCE (sat), typ = 2,25 V @ IC = 100 A in Tj = 25 °C 

● Izjemno izboljšana zmogljivost za plaz 

3 Aplikacije

 Varjenje 

 UPS 

 Tristopenjski pretvornik 

 AC in DC servo ojačevalnik

Vrsta	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paket
DGA40H120M2T	1200V	40A (Tj=100℃)	1,75 V (tipično)	150 ℃	34MM