40A 1200V Medium pontis moduli IGBTModule DGA40H120M2T 34mm

40A 1200V Medium pontis moduli

1 Description 

Hae portae Insulae Bipolar Transistor provectae fossae et technologiae Fieldstop consilio adhibitae sunt, praeclarum VCEsat et celeritate mutandi, portae humilis crimen. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

FS Trench Technology, caliditas positiva coefficientis 

Saturatio humilis intentione: VCE(sat), typ = 2.25V @ IC = 100A et Tj = 25°C 

valde auctus facultatem NIVIS CASUS 

III Applications

Welding 

UPS 

Tres-gradu Inverter 

AC et DC servo coegi amplifier

Type	VCE	Ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	sarcina
DGA40H120M2T	1200V	40A (Tj=100℃)	1.75V (Type)	150℃	34MM