未命名 (1) (8) (1)
gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » Modul IGBT » Pim » 40A 1200V setengah jembatan modul igbtmodule dga40h120m2t 34mm

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

40A 1200V Modul Jembatan Setengah IGBTModule DGA40H120M2T 34MM

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:
Menanyakan Tambahkan ke keranjang

Modul Jembatan Setengah 40A 1200V

1 deskripsi 

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Teknologi parit FS, koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), typ = 2.25v @ ic = 100a dan tj = 25 ° C 

● Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan 


3 aplikasi

 Pengelasan 

 UPS 

 Inverter tiga leve 

 Amplifier Drive Servo AC dan DC


Jenis Vce Ic Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Kemasan
DGA40H120M2T 1200v 40a (tj = 100 ℃) 1.75V (Typ) 150 ℃ 34mm


unduh DGA100H170M2T-REV1.0.pdf

Sebelumnya: 
Berikutnya: 
Modul IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda
    Kirim
Hak Cipta © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology oleh leadong.com