10A, 600V Ultrafast Diode Imajo nizko napetost naprej in so iz ravninskega, silicijevega nitrida pasiviranega, ionsko implantirane, epitaksialne konstrukcije.
10A, 600V Ultrafast Diode Imajo nizko napetost naprej in so iz ravninskega, silicijevega nitrida pasiviranega, ionsko implantirane, epitaksialne konstrukcije. Te naprave so namenjene uporabi kot energijske krmilne/vpenjalne diode in usmerjevalnike v različnih preklopnih napajalnih napajanju in drugih aplikacijah za preklop napajanja. Njihova nizka shranjena naboj in ultra hitri obnovitev z mehkimi obnovitvenimi značilnostmi minimizira zvonjenje in električni hrup v številnih preklopnih vezjih, s čimer se zmanjša izguba energije v preklopnem tranzistorju TO-220f, ki zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila na 2000 V RMS od vseh treh terminalov na zunanjo vročino.
2 značilnosti
Nizka izguba energije,
Visoka učinkovitost nizke napetosti naprej,
Visoka trenutna zmogljivost visoka prenapetostna zmogljivost
Super hitri časi okrevanja
Visoka napetost
3 aplikacije
Preklopno napajanje
Preklopna vezja
Vbr
Vf (enojna) (max)
If (av) (enojna)
600V
1.6V
10a
10A 600V Dioda za hitro okrevanje
1 opis
10A, 600V Ultrafast Diode Imajo nizko napetost naprej in so iz ravninskega, silicijevega nitrida pasiviranega, ionsko implantirane, epitaksialne konstrukcije. Te naprave so namenjene uporabi kot energijske krmilne/vpenjalne diode in usmerjevalnike v različnih preklopnih napajalnih napajanju in drugih aplikacijah za preklop napajanja. Njihova nizka shranjena naboj in ultra hitri obnovitev z mehkimi obnovitvenimi značilnostmi minimizira zvonjenje in električni hrup v številnih preklopnih vezjih, s čimer se zmanjša izguba energije v preklopnem tranzistorju TO-220f, ki zagotavlja izolacijsko napetost, ki je bila na 2000 V RMS od vseh treh terminalov na zunanjo vročino.
2 značilnosti
Nizka izguba energije,
Visoka učinkovitost nizke napetosti naprej,
Visoka trenutna zmogljivost visoka prenapetostna zmogljivost
