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7A 650V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

7A 650V N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET
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  • 7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65

  • WXDH

7A 650V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明 

これらの N チャネル エンハンスド VDMOSFET は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●高速スイッチング 

● ESD 能力の向上 

● 低オン抵抗(Rdson≦1.45Ω) 

● 低いゲートチャージ(Typ: 24nC) 

● 低い逆転送容量(Typ: 5.5pF) 

● 100% シングルパルス雪崩エネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション 

●各種電源スイッチング回路に使用され、システムの小型化、高効率化を実現します。 

●電子安定器とアダプターの電源スイッチ回路。



VDSS RDS(オン)(TYP) ID
650V 1.25Ω 7A


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