注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Số lượng: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V Chế độ tăng cường kênh N MOSFET nguồn
1 Mô tả
Các VDMOSFET nâng cao kênh N này có được nhờ công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm tổn thất dẫn điện, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở.Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.
2 tính năng
● Chuyển đổi nhanh
● Khả năng cải tiến của ESD
● Điện trở BẬT thấp (Rdson<1,45Ω)
● Phí cổng thấp (Loại: 24nC)
● Điện dung truyền ngược thấp (Loại: 5,5pF)
● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%
● Kiểm tra 100% ΔVDS
3 ứng dụng
● được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và đạt hiệu quả cao hơn.
● Mạch chuyển đổi nguồn của chấn lưu điện tử và bộ chuyển đổi.
| VDSS | RDS(bật)(TYP) | NHẬN DẠNG |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
7A 650V Chế độ tăng cường kênh N MOSFET nguồn
1 Mô tả
Các VDMOSFET nâng cao kênh N này có được nhờ công nghệ phẳng tự căn chỉnh giúp giảm tổn thất dẫn điện, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở.Phù hợp với tiêu chuẩn RoHS.
2 tính năng
● Chuyển đổi nhanh
● Khả năng cải tiến của ESD
● Điện trở BẬT thấp (Rdson<1,45Ω)
● Phí cổng thấp (Loại: 24nC)
● Điện dung truyền ngược thấp (Loại: 5,5pF)
● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%
● Kiểm tra 100% ΔVDS
3 ứng dụng
● được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và đạt hiệu quả cao hơn.
● Mạch chuyển đổi nguồn của chấn lưu điện tử và bộ chuyển đổi.
| VDSS | RDS(bật)(TYP) | NHẬN DẠNG |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
