注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Antal: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanal Enhanced VDMOSFET'er er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien.Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Hurtigt skift
● ESD-forbedret kapacitet
● Lav ON-modstand (Rdson≤1,45Ω)
● Lav portopladning (Type: 24nC)
● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 5,5pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● bruges i forskellige strømskiftekredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.
● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
7A 650V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanal Enhanced VDMOSFET'er er opnået af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer switching ydeevne og forbedrer lavineenergien.Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Hurtigt skift
● ESD-forbedret kapacitet
● Lav ON-modstand (Rdson≤1,45Ω)
● Lav portopladning (Type: 24nC)
● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 5,5pF)
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● bruges i forskellige strømskiftekredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet.
● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
