الحجم: 150px*50px الصورة 
 |
| الكمية: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
يتم الحصول على VDMOSFETs المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
● التبديل السريع
● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة
● مقاومة منخفضة (Rdson ≥1.45Ω)
● شحن البوابة المنخفضة (النوع: 24nC)
● سعات النقل العكسي المنخفضة (النوع: 5.5pF)
● اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي بنسبة 100%
● اختبار ΔVDS بنسبة 100%
3 تطبيقات
● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.
● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 650 فولت | 1.25 أوم | 7 أ |
7A 650V N-channel وضع تعزيز الطاقة MOSFET
1. الوصف
يتم الحصول على VDMOSFETs المحسنة ذات القناة N هذه من خلال تقنية المستوى الذاتي المحاذاة والتي تقلل من فقدان التوصيل وتحسن أداء التبديل وتعزز طاقة الانهيار الجليدي.والذي يتوافق مع معيار RoHS.
2 الميزات
● التبديل السريع
● تحسين القدرة على البيئة والتنمية المستدامة
● مقاومة منخفضة (Rdson ≥1.45Ω)
● شحن البوابة المنخفضة (النوع: 24nC)
● سعات النقل العكسي المنخفضة (النوع: 5.5pF)
● اختبار طاقة الانهيار الجليدي النبضي بنسبة 100%
● اختبار ΔVDS بنسبة 100%
3 تطبيقات
● يستخدم في دوائر تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام وزيادة الكفاءة.
● دائرة تبديل الطاقة للصابورة الإلكترونية والمحول.
| VDSS | RDS (تشغيل) (TYP) | بطاقة تعريف |
| 650 فولت | 1.25 أوم | 7 أ |
