Размер: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Количество: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
ШХДХ
7А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFET созданы с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Быстрое переключение
● Улучшенные возможности ESD
● Низкое сопротивление включения (Rdson≤1,45 Ом).
● Низкий заряд затвора (тип: 24 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (тип.: 5,5 пФ).
● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии.
● 100 % ΔVDS-тест.
3 приложения
● используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.
● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.
| ВДСС | RDS(вкл.)(ТИП) | ИДЕНТИФИКАТОР |
| 650В | 1,25 Ом | 7А |
7А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFET созданы с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает потери проводимости, улучшает характеристики переключения и увеличивает лавинную энергию.Что соответствует стандарту RoHS.
2 особенности
● Быстрое переключение
● Улучшенные возможности ESD
● Низкое сопротивление включения (Rdson≤1,45 Ом).
● Низкий заряд затвора (тип: 24 нКл).
● Низкая емкость обратного переноса (тип.: 5,5 пФ).
● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии.
● 100 % ΔVDS-тест.
3 приложения
● используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.
● Схема выключателя питания электронного балласта и адаптера.
| ВДСС | RDS(вкл.)(ТИП) | ИДЕНТИФИКАТОР |
| 650В | 1,25 Ом | 7А |
