ukuran: ukuran foto 150px*50px 
 |
| Kuantitas: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
VDMOSFET N-channel yang Disempurnakan ini, diperoleh dengan teknologi planar self-aligned yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju.Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan Cepat
● Peningkatan Kemampuan ESD
● Resistansi ON Rendah (Rdson≤1.45Ω)
● Biaya Gerbang Rendah (Tipe: 24nC)
● Kapasitansi Transfer Balik Rendah (Tipe: 5,5pF)
● Uji Energi Longsor Pulsa Tunggal 100%.
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● digunakan dalam berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya ballast elektron dan adaptor.
| VDSS | RDS(aktif)(TYP) | PENGENAL |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
7A 650V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
1 Deskripsi
VDMOSFET N-channel yang Disempurnakan ini, diperoleh dengan teknologi planar self-aligned yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju.Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Peralihan Cepat
● Peningkatan Kemampuan ESD
● Resistansi ON Rendah (Rdson≤1.45Ω)
● Biaya Gerbang Rendah (Tipe: 24nC)
● Kapasitansi Transfer Balik Rendah (Tipe: 5,5pF)
● Uji Energi Longsor Pulsa Tunggal 100%.
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● digunakan dalam berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Rangkaian saklar daya ballast elektron dan adaptor.
| VDSS | RDS(aktif)(TYP) | PENGENAL |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
