عکس: 建议图片大小150px*50px 
 |
| تعداد: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
ماسفت قدرت 7A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power
1 توضیحات
این VDMOSFET های N-channel Enhanced، توسط فناوری مسطح خود تراز شده به دست می آیند که تلفات هدایت را کاهش می دهد، عملکرد سوئیچینگ را بهبود می بخشد و انرژی بهمن را افزایش می دهد.که مطابق با استاندارد RoHS است.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● قابلیت ESD بهبود یافته
● مقاومت کم روشن (Rdson≤1.45Ω)
● شارژ پایین دروازه (نوع: 24nC)
● ظرفیت انتقال معکوس پایین (نوع: 5.5pF)
● تست 100% انرژی بهمن تک پالس
● 100% ΔVDS تست
3 برنامه های کاربردی
● در مدارهای مختلف سوئیچینگ قدرت برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
مدار سوئیچ برق بالاست الکترون و آداپتور.
| VDSS | RDS(روشن)(TYP) | شناسه |
| 650 ولت | 1.25Ω | 7A |
ماسفت قدرت 7A 650 ولت N-channel Enhancement Mode Power
1 توضیحات
این VDMOSFET های N-channel Enhanced، توسط فناوری مسطح خود تراز شده به دست می آیند که تلفات هدایت را کاهش می دهد، عملکرد سوئیچینگ را بهبود می بخشد و انرژی بهمن را افزایش می دهد.که مطابق با استاندارد RoHS است.
2 ویژگی
● سوئیچینگ سریع
● قابلیت ESD بهبود یافته
● مقاومت کم روشن (Rdson≤1.45Ω)
● شارژ پایین دروازه (نوع: 24nC)
● ظرفیت کم انتقال معکوس (نوع: 5.5pF)
● تست 100% انرژی بهمن تک پالس
● 100% ΔVDS تست
3 برنامه های کاربردی
● در مدارهای مختلف سوئیچینگ قدرت برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود.
مدار سوئیچ برق بالاست الکترون و آداپتور.
| VDSS | RDS(روشن)(TYP) | شناسه |
| 650 ولت | 1.25Ω | 7A |
