Nome: 建议图片大小150px*50px 
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| Quantidade: | |
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7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 7A 650V
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Capacidade aprimorada de ESD
● Baixa resistência ON (Rdson≤1,45Ω)
● Carga de porta baixa (Tipo: 24nC)
● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 5,5pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 650 V | 1,25Ω | 7A |
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 7A 650V
1 Descrição
Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche.O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Capacidade aprimorada de ESD
● Baixa resistência ON (Rdson≤1,45Ω)
● Carga de porta baixa (Tipo: 24nC)
● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 5,5pF)
● Teste de energia de avalanche de pulso único 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.
● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.
| VDSS | RDS(ligado)(TYP) | EU IA |
| 650 V | 1,25Ω | 7A |
