Type: foto's van foto's 150px*50px 
 |
| Aantal: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde VDMOSFET's worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert.Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Snel schakelen
● ESD Verbeterde mogelijkheden
● Lage AAN-weerstand (Rdson≤1.45Ω)
● Lage poortlading (typ: 24nC)
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (typ: 5,5 pF)
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
| VDSS | RDS(aan)(TYP) | ID kaart |
| 650V | 1,25 Ω | 7A |
7A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde VDMOSFET's worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie verbetert.Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Snel schakelen
● ESD Verbeterde mogelijkheden
● Lage AAN-weerstand (Rdson≤1.45Ω)
● Lage poortlading (typ: 24nC)
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (typ: 5,5 pF)
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
3 toepassingen
● gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
| VDSS | RDS(aan)(TYP) | ID kaart |
| 650V | 1,25 Ω | 7A |
