Képméret: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Mennyiség: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját.Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤1,45Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 24nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 5,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és nagyobb hatékonyságra.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
7A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavinaenergiát.Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤1,45Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 24nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 5,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
