注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Кількість: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці N-канальні покращені VDMOSFET, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Покращена можливість ESD
● Низький опір увімкнення (Rdson≤1,45Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 24nC)
● Низька зворотна передавальна ємність (тип: 5,5 пФ)
● 100% одноімпульсний лавинний енергетичний тест
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.
| VDSS | RDS(увімкнено)(TYP) | ID |
| 650В | 1,25 Ом | 7A |
7A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET
1 Опис
Ці N-канальні покращені VDMOSFET, отримані за самовирівняною планарною технологією, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини.Що відповідає стандарту RoHS.
2 Особливості
● Швидке перемикання
● Покращена можливість ESD
● Низький опір увімкнення (Rdson≤1,45Ω)
● Низький заряд затвора (тип: 24nC)
● Низька зворотна передавальна ємність (тип: 5,5 пФ)
● 100% одноімпульсний лавинний енергетичний тест
● 100% тест ΔVDS
3 Додатки
● використовується в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності.
● Схема вимикача живлення електронного баласту та адаптера.
| VDSS | RDS(увімкнено)(TYP) | ID |
| 650В | 1,25 Ом | 7A |
