ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
| ປະລິມານ: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel Enhanced VDMOSFETs, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການດໍາເນີນການ, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ການປ່ຽນໄວ
● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.45Ω)
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 24nC)
● ຄວາມອາດສາມາດການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 5.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆ ສໍາລັບການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດັບເຕີ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 650V | 1.25Ω | 7A |
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ N-channel Enhanced VDMOSFETs, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການດໍາເນີນການ, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ການປ່ຽນໄວ
● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.45Ω)
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 24nC)
● ຄວາມອາດສາມາດການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ(ປະເພດ: 5.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆ ສໍາລັບການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດັບເຕີ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 650V | 1.25Ω | 7A |
