注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množství: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
Výkonový MOSFET 7A 650V N-channel Enhancement Mode
1 Popis
Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavinou energii.Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Vylepšená schopnost ESD
● Nízký ON odpor (Rdson≤1,45Ω)
● Nízké nabití brány (Typ: 24 nC)
● Nízké kapacity zpětného přenosu (Typ: 5,5 pF)
● 100% test lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● používá se v různých výkonových spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.
| VDSS | RDS(zapnuto)(TYP) | ID |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
Výkonový MOSFET 7A 650V N-channel Enhancement Mode
1 Popis
Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavinou energii.Což odpovídá standardu RoHS.
2 Vlastnosti
● Rychlé přepínání
● Vylepšená schopnost ESD
● Nízký ON odpor (Rdson≤1,45Ω)
● Nízké nabití brány (Typ: 24 nC)
● Nízké kapacity zpětného přenosu (Typ: 5,5 pF)
● 100% test lavinové energie jednoho pulzu
● Test 100% ΔVDS
3 Aplikace
● používá se v různých výkonových spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.
| VDSS | RDS(zapnuto)(TYP) | ID |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
