Saadavus: | |
---|---|
Kogus: | |
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id on saadud isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviinienergiat.Mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
● Kiire ümberlülitamine
● ESD täiustatud võime
● Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤1,45Ω)
● Madal väravalaeng (tüüp: 24 nC)
● Madal vastupidine ülekandemahtuvus (tüüp: 5,5 pF)
● 100% ühe impulsi laviini energiatest
● 100% ΔVDS test
3 Rakendused
● kasutatakse mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.
● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.
VDSS | RDS (sees) (TYP) | ID |
650V | 1,25Ω | 7A |
7A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id on saadud isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviinienergiat.Mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
● Kiire ümberlülitamine
● ESD täiustatud võime
● Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤1,45Ω)
● Madal väravalaeng (tüüp: 24 nC)
● Madal vastupidine ülekandemahtuvus (tüüp: 5,5 pF)
● 100% ühe impulsi laviini energiatest
● 100% ΔVDS test
3 Rakendused
● kasutatakse mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks.
● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.
VDSS | RDS (sees) (TYP) | ID |
650V | 1,25Ω | 7A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. asutati 2004. aasta detsembris, asukohaga nr 88, Zhongtong East Road, Shuofang, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.Selle pindala on 15000 m2.Registreeritud kapital on 81,5 miljonit jüaani.Selle aastane tootmisliin on 500 miljonit võimsust de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., mis asutati 2004. aasta detsembris, asub aadressil nr 88, East Zhongtong Road, Shuofang Town, Xinwu piirkond, Wuxi linn, Jiangsu provints.15 000 ruutmeetri suuruse ja 81,5 miljoni jüaani registreeritud kapitaliga on tegemist kõrgtehnoloogilise ettevõttega.