注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množstvo: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepínanie
● Vylepšená schopnosť ESD
● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤1,45Ω)
● Nízke nabitie brány (Typ: 24 nC)
● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 5,5 pF)
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.
● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 650 V | 1,25Ω | 7A |
7A 650V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETy sa získavajú samozarovnávacou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepínanie
● Vylepšená schopnosť ESD
● Nízky odpor pri zapnutí (Rdson≤1,45Ω)
● Nízke nabitie brány (Typ: 24 nC)
● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 5,5 pF)
● 100% test jednopulzovej lavínovej energie
● Test 100 % ΔVDS
3 Aplikácie
● používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.
● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 650 V | 1,25Ω | 7A |
