Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Uko hapa: Nyumbani » Bidhaa » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 7A 650V N-Chaneli ya Uboreshaji wa MOSFET ya Nguvu

kupakia

Shiriki kwa:
kitufe cha kushiriki facebook
kitufe cha kushiriki twitter
kitufe cha kushiriki mstari
kitufe cha kushiriki wechat
kitufe cha kushiriki kilichounganishwa
kitufe cha kushiriki pinterest
kitufe cha kushiriki whatsapp
Shiriki kitufe hiki cha kushiriki

7A 650V N-Chaneli ya Uboreshaji wa Njia ya Nguvu ya MOSFET

7A 650V N-Chaneli Uboreshaji wa Modi ya
Upatikanaji wa MOSFET ya Nguvu:
Kiasi:
  • 7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65

  • WXDH

7A 650V N-Chaneli ya Uboreshaji wa Njia ya Nguvu ya MOSFET


1 Maelezo 

VDMOSFET hizi za N-Channel Iliyoboreshwa, hupatikana kwa teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo inapunguza upotevu wa upitishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya maporomoko ya theluji.Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 


2 Sifa 

● Kubadilisha Haraka 

● Uwezo Ulioboreshwa wa ESD 

● Upinzani mdogo wa ON (Rdson≤1.45Ω) 

● Malipo ya Lango la Chini (Aina: 24nC) 

● Uwezo wa Chini wa Uhamisho wa Kinyume (Aina: 5.5pF) 

● Jaribio la Nishati ya Banguko la Pulse Moja la 100%. 

● Jaribio la ΔVDS la 100%. 


3 Maombi 

● kutumika katika saketi mbalimbali za kubadili nguvu kwa ajili ya uboreshaji mdogo wa mfumo na ufanisi wa juu zaidi. 

● Sakiti ya kubadili nguvu ya ballast ya elektroni na adapta.



VDSS RDS(imewashwa)(TYP) ID
650V 1.25Ω 7A


Iliyotangulia: 
Inayofuata: 

Aina ya Bidhaa

Habari mpya kabisa

  • Jisajili kwa jarida letu
  • jitayarishe kwa siku zijazo
    jisajili kwa jarida letu ili kupata sasisho moja kwa moja kwenye kikasha chako
    Jisajili