注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Adet: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı Geçiş
● ESD Geliştirilmiş Yeteneği
● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤1.45Ω)
● Düşük Geçit Yükü (Tip: 24nC)
● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 5,5pF)
● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi
● %100 ΔVDS Testi
3 Uygulama
● sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
7A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir.RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı Geçiş
● ESD Geliştirilmiş Yeteneği
● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤1.45Ω)
● Düşük Geçit Yükü (Tip: 24nC)
● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 5,5pF)
● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi
● %100 ΔVDS Testi
3 Uygulama
● sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır.
● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.
| VDSS | RDS(açık)(TİP) | İD |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
