注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Dami: | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/ E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga N-channel na Pinahusay na VDMOSFET na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na Paglipat
● Pinahusay na Kakayahan ng ESD
● Mababang ON Resistance(Rdson≤1.45Ω)
● Mababang Gate Charge(Typ: 24nC)
● Mababang Reverse Transfer Capacitances(Typ: 5.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS Test
3 Aplikasyon
● ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa system miniaturization at mas mataas na kahusayan.
● Power switch circuit ng electron ballast at adaptor.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 650V | 1.25Ω | 7A |
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga N-channel na Pinahusay na VDMOSFET na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na Paglipat
● Pinahusay na Kakayahan ng ESD
● Mababang ON Resistance(Rdson≤1.45Ω)
● Mababang Gate Charge(Typ: 24nC)
● Mababang Reverse Transfer Capacitances(Typ: 5.5pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS Test
3 Aplikasyon
● ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa system miniaturization at mas mataas na kahusayan.
● Power switch circuit ng electron ballast at adaptor.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 650V | 1.25Ω | 7A |
