Տարբերակ՝ 建议图片大小150px*50px 
 |
| Քանակ. | |
|---|---|
7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները ստացվում են ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● ESD բարելավված կարողություն
● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤1,45Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 24nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 5,5 pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 650 Վ | 1,25 Ω | 7Ա |
7A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս N-ալիքով ընդլայնված VDMOSFET-ները ստացվում են ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● ESD բարելավված կարողություն
● Ցածր միացման դիմադրություն (Rdson≤1,45Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 24nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 5,5 pF)
● 100% Single Pulse Avalanche Energy Test
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 650 Վ | 1,25 Ω | 7Ա |
