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7N65/F7N65/I7N65/E7N65/B7N65/D7N65
WXDH
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 7A 650 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Capacidad mejorada de ESD
● Baja resistencia de encendido (Rdson≤1.45Ω)
● Carga de puerta baja (tipo: 24 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 5,5 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturización del sistema y mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 7A 650 V
1. Descripción
Estos VDMOSFET mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Cambio rápido
● Capacidad mejorada de ESD
● Baja resistencia de encendido (Rdson≤1.45Ω)
● Carga de puerta baja (tipo: 24 nC)
● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 5,5 pF)
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturización del sistema y mayor eficiencia.
● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.
| VDSS | RDS (activado) (TIPO) | IDENTIFICACIÓN |
| 650V | 1,25Ω | 7A |
