江蘇東海半導体有限公司
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8A 700V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET

8A 700V N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET
在庫状況:
数量:
  • 8N70/F8N70/I8N70/E8N70

  • WXDH

8A 700V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET


1 説明 

これらのシリコン N チャネル強化 vdmosfet は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。 


2 特徴 

●高速スイッチング 

●低オン抵抗(Rdson≦1.15Ω) 

● 低いゲート電荷(Typ: 27nC) 

●低い逆伝達容量(Typ:4.7pF) 

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト 


3 アプリケーション 

●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。 

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。


VDSS RDS(オン)(TYP) ID
700V 0.96Ω 8A


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