8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらのシリコン N チャネル強化 vdmosfet は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●高速スイッチング
●低オン抵抗(Rdson≦1.15Ω)
● 低いゲート電荷(Typ: 27nC)
●低い逆伝達容量(Typ:4.7pF)
● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。
●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
700V | 0.96Ω | 8A |
8A 700V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
これらのシリコン N チャネル強化 vdmosfet は、導通損失を低減し、スイッチング性能を向上させ、アバランシェ エネルギーを強化する自己整合プレーナ技術によって得られます。RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●高速スイッチング
●低オン抵抗(Rdson≦1.15Ω)
● 低いゲート電荷(Typ: 27nC)
●低い逆伝達容量(Typ:4.7pF)
● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●システムの小型化、高効率化を図るため、各種電源スイッチング回路に使用されます。
●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。
VDSS | RDS(オン)(TYP) | ID |
700V | 0.96Ω | 8A |
江蘇東海半導体有限公司は、2004 年 12 月に江蘇省無錫市新呉区朔方中通東路 88 号に設立されました。面積は15000平方メートルです。登録資本金は8,150万元です。年間5億電力の生産ラインを持っています。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。
江蘇東海半導体有限公司は 2004 年 12 月に設立され、江蘇省無錫市新呉区朔芳鎮中通東路 88 号に位置しています。敷地面積15,000平方メートル、登録資本金8,150万元のハイテク企業大手です。