ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
| ປະລິມານ: | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ silicon N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີ planar ຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ສະຫຼັບໄວ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.15Ω)
● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 27nC)
● ຄວາມອາດສາມາດການຖ່າຍໂອນປີ້ນໄດ້ຕໍ່າ (ປະເພດ: 4.7pF)
● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 700V | 0.96Ω | 8A |
8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 ຄຳອະທິບາຍ
ເຫຼົ່ານີ້ silicon N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີ planar ຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● ສະຫຼັບໄວ
● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤1.15Ω)
● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 27nC)
● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 4.7pF)
● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ
● 100% ΔVDS ການທົດສອບ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.
● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງອະແດບເຕີ ແລະເຄື່ອງສາກ.
| VDSS | RDS(ເປີດ)(TYP) | ID |
| 700V | 0.96Ω | 8A |
