注: 建议图片大小150 ፒክስል*50 ፒክስል 
 |
| ፡ ብዛት | |
|---|---|
8N70 / F8N70 / I8N70 / E8N70
WXDH
8A 700V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ የሲሊኮን ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets, በራስ-የተሰለጠነ የፕላነር ቴክኖሎጂ የተገኙት የመተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ, የመቀያየር አፈፃፀምን የሚያሻሽል እና የንፋስ ሃይልን ይጨምራል.የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤1.15Ω)
● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 27nC)
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 4.7pF)
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
3 መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።
● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.
| ቪዲኤስኤስ | RDS(በርቷል)(TYP) | መታወቂያ |
| 700 ቪ | 0.96Ω | 8A |
8A 700V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET
1 መግለጫ
እነዚህ የሲሊኮን ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets, በራስ-የተሰለጠነ የፕላነር ቴክኖሎጂ የተገኙት የመተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ, የመቀያየር አፈፃፀምን የሚያሻሽል እና የንፋስ ሃይልን ይጨምራል.የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል።
2 ባህሪያት
● ፈጣን መቀያየር
● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤1.15Ω)
● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 27nC)
● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 4.7pF)
● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ
● 100% ΔVDS ፈተና
3 መተግበሪያዎች
● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።
● አስማሚ እና ቻርጅ ያለውን ኃይል መቀየሪያ የወረዳ.
| ቪዲኤስኤስ | RDS(በርቷል)(TYP) | መታወቂያ |
| 700 ቪ | 0.96Ω | 8A |
