注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Ilość: | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia
1 Opis
Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawinową.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niska rezystancja (Rdson ≤1,15 Ω)
● Niski ładunek bramki (typ: 27nC)
● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego (typ: 4,7 pF)
● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.
| VDSS | RDS(wł.)(TYP) | ID |
| 700 V | 0,96 Ω | 8A |
8A 700V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia
1 Opis
Te krzemowe vdmosfety wzmocnione kanałem N są uzyskiwane dzięki samonastawnej technologii planarnej, która zmniejsza straty przewodzenia, poprawia wydajność przełączania i zwiększa energię lawinową.Co jest zgodne ze standardem RoHS.
2 funkcje
● Szybkie przełączanie
● Niska rezystancja (Rdson ≤1,15 Ω)
● Niski ładunek bramki (typ: 27nC)
● Niskie pojemności przesyłu zwrotnego (typ: 4,7 pF)
● 100% test energii lawinowej w pojedynczym impulsie
● 100% test ΔVDS
3 aplikacje
● Stosowany w różnych obwodach przełączania mocy w celu miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.
● Obwód wyłącznika zasilania adaptera i ładowarki.
| VDSS | RDS(wł.)(TYP) | ID |
| 700 V | 0,96 Ω | 8A |
