注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Množstvo: | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto kremíkové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samočinne usporiadanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepínanie
● Nízky odpor (Rdson≤1,15Ω)
● Nízke nabitie brány (Typ: 27nC)
● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 4,7 pF)
● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom
● 100 % test ΔVDS
3 Aplikácie
● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.
● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 700 V | 0,96Ω | 8A |
8A 700V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET
1 Popis
Tieto kremíkové N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samočinne usporiadanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu.Čo je v súlade s normou RoHS.
2 Vlastnosti
● Rýchle prepínanie
● Nízky odpor (Rdson≤1,15Ω)
● Nízke nabitie brány (Typ: 27nC)
● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 4,7 pF)
● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom
● 100 % test ΔVDS
3 Aplikácie
● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.
● Obvod vypínača adaptéra a nabíjačky.
| VDSS | RDS(zapnuté)(TYP) | ID |
| 700 V | 0,96Ω | 8A |
