ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤဆီလီကွန် N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets သည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကိုလျှော့ချရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိထားပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.15Ω)
● နိမ့်သောဂိတ်အားသွင်းမှု (အမျိုးအစား- 27nC)
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 4.7pF)
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။
● အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 700V | 0.96Ω | 8A |
8A 700V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤဆီလီကွန် N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets သည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကိုလျှော့ချရန်၊ ကူးပြောင်းခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့်ရရှိထားပါသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အမြန်ပြောင်းခြင်း။
● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.15Ω)
● နိမ့်သောဂိတ်အားသွင်းမှု (အမျိုးအစား- 27nC)
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 4.7pF)
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။
● အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။
| VDSS | RDS(ဖွင့်)(TYP) | အမှတ်သညာ |
| 700V | 0.96Ω | 8A |
