Տարբերակ՝ 建议图片大小150px*50px 
 |
| Քանակ. | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս սիլիկոնային N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤1,15Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 27nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 4,7 pF)
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 700 Վ | 0,96 Ω | 8 Ա |
8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Նկարագրություն
Այս սիլիկոնային N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան:Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին:
2 Հատկանիշներ
● Արագ միացում
● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤1,15Ω)
● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 27nC)
● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 4,7 pF)
● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում
● 100% ΔVDS թեստ
3 Դիմումներ
● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար:
● Ադապտերի և լիցքավորիչի հոսանքի անջատիչի միացում:
| VDSS | RDS(միացված)(TYP) | ID |
| 700 Վ | 0,96 Ω | 8 Ա |
