注: 建议图片大小150px*50px 
 |
| Dami: | |
|---|---|
8N70/F8N70/I8N70/E8N70
WXDH
8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga silicon na N-channel na pinahusay na vdmosfet na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na paglipat
● Mababa ang resistensya (Rdson≤1.15Ω)
● Mababang gate charge(Typ: 27nC)
● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 4.7pF)
● 100% single pulse avalanche energy test
● 100% ΔVDS test
3 Aplikasyon
● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa pagpapaliit ng system at mas mataas na kahusayan.
● Power switch circuit ng adapter at charger.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 700V | 0.96Ω | 8A |
8A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Paglalarawan
Ang mga silicon na N-channel na pinahusay na vdmosfet na ito, ay nakuha ng self-aligned na planar na teknolohiya na nagpapababa sa pagkawala ng pagpapadaloy, nagpapabuti sa pagganap ng paglipat at nagpapahusay sa enerhiya ng avalanche.Alin ang naaayon sa pamantayan ng RoHS.
2 Mga Tampok
● Mabilis na paglipat
● Mababa ang resistensya (Rdson≤1.15Ω)
● Mababang gate charge(Typ: 27nC)
● Mababang reverse transfer capacitances(Typ: 4.7pF)
● 100% single pulse avalanche energy test
● 100% ΔVDS test
3 Aplikasyon
● Ginagamit sa iba't ibang power switching circuit para sa pagpapaliit ng system at mas mataas na kahusayan.
● Power switch circuit ng adapter at charger.
| VDSS | RDS(on)(TYP) | ID |
| 700V | 0.96Ω | 8A |
